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短波焦平面探测器的知识点,赶紧看看
随着
短波焦平面探测器
材料研究的进展和短波红外焦平面探测器制备工艺的不断改进和创新,短波红外焦平面探测器将向更大面阵规模、更宽的光谱响应范围发展,将会在更多的领域得到重视和应用。
短波焦平面探测器
由探测器阵列与读出电路倒装互连而成。焦平面器件技术涵盖光电子与微电子技术范畴,器件结构复杂,技术难度大,对设计、工艺、产品化等技术均有较高要求。
红外成像技术的核心部分当属红外探测器技术,包括红外材料、器件等重大制造工艺技术,涉及红外探测器基础理论、总体设计、薄膜材料生长技术、材料性能表征与评价技术。
在短波红外成像光谱技术的应用背景下,对
短波焦平面探测器
的校正技术进行研究,包括坏像元校正和非均匀性校正,并提出先进行坏像元校正后进行非均匀性校正的探测器校正原则;在标准辐射源下,对正常像元的输出值进行正态分布拟合,并通过3σ准则设定正常像元输出值阈值的方法,确定探测器中坏像元的数量与位置,然后根据短波红外成像光谱技术的应用要求,对坏像元进行光谱二邻域均值替换;坏像元校正完成后,再采用运算量小、实时性强的两点法对探测器进行非均匀性校正。综合校正结果表明:探测器坏像元得到有效剔除,坏像元输出值得到良好校正,且非均匀性校正效果明显,图像细节更加丰富。
更新更新时间:2020-11-24
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